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铟镓(InGaN)二极管，在20ma电流驱动下产生28,000mcd的照明度，甚至在阳光直射下也清晰可
https://www.alighting.cn/news/20090617/120530.htm2009/6/17 0:00:00
欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此，芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓(InGaN)芯片搭载ux：3芯片技术，是蓝/白光led的基
https://www.alighting.cn/news/20150717/131073.htm2015/7/17 10:32:32
首尔viosys和美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)一直在探索缩小绿色和蓝色InGaN micro led直径的影响。由于尺寸缩小是由于器件表面的非辐射复合导致，led
https://www.alighting.cn/news/20200330/167405.htm2020/3/30 9:59:33
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和gan相分离而形成的富in类量子点结构，主导着InGaN基发光二极管发光波长，体现了InGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
本文通过对高功率InGaN(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析，可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/ 温度/光通
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/16/142218_52.htm2013/10/16 14:22:18
出可寻址矩阵，这非常适合于车头灯动态光束转向。InGaN led的固有高速切换使其成为可见光通讯或lifi的理想选
https://www.alighting.cn/pingce/20170926/152915.htm2017/9/26 10:26:35
赤崎和天野研究室于1992年在未使用InGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
护 静电和电流的急剧升高将会对led产生损害，InGaN系列产品使用时请使用防静电装置，如防护带和手
https://www.alighting.cn/resource/20050803/128882.htm2005/8/3 0:00:00
: InGaN高级esd保护比白炽灯和卤素灯效率高焊接方式：回流焊或手工焊光效高: 最高白光光效72-146lm/w寿命长达30,000小时即亮(100n
http://blog.alighting.cn/szsdarlin/archive/2010/5/25/46090.html2010/5/25 14:18:00
系层的电特性、发射特性和iqe，对绿光led瓦特/ p型的InGaN的形态控制，在led的qwb 掺入si的影响：例如排放强度下降、正向电压下降、和空穴传输阻断效果显着——特别是对
https://www.alighting.cn/news/20080801/104243.htm2008/8/1 0:00:00
