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　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268088.html2012/3/15 21:16:25

d产业链中，外延片和芯片占70%的利润，而led封装和应用则只占30%左右的利润。目前外延片生产仍完全控制在国外企业手中，国内企业没有一家能够实现外延片的量产。芯片方面，国内企业主

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268354.html2012/3/15 21:57:07

d产业链中，外延片和芯片占70%的利润，而led封装和应用则只占30%左右的利润。目前外延片生产仍完全控制在国外企业手中，国内企业没有一家能够实现外延片的量产。芯片方面，国内企业主

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271158.html2012/4/10 20:58:12

　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271424.html2012/4/10 21:43:20

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

入国家中长期科技发展规划与“十一五”国家“863”高新技术产业化重大项目并给予大力支持。然而，我国目前led产品开发应用领域依然存在不足。我国自产的led芯片,外延片产量仍有限,与国

http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272309.html2012/4/17 17:10:30

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275044.html2012/5/20 20:21:43

　在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持

http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279483.html2012/6/20 23:06:16

d产业链中，外延片和芯片占70%的利润，而led封装和应用则只占30%左右的利润。目前外延片生产仍完全控制在国外企业手中，国内企业没有一家能够实现外延片的量产。芯片方面，国内企业主

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279512.html2012/6/20 23:06:56