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大电流也当然没法加大,这是led往单颗大功率发展的障碍。朝大芯片大电流方向发展意即要在不降低光效的前提下把芯片做大以能通过更大的电流,让单颗led的功率大幅提高（相对现在的1w）,这
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
0lm/w以上功率白光led制造技术；100lm/w以上半导体照明集成技术；汽车前照大灯系统集成技术；室内智能化led照明系统；大尺寸lcd背光源；功率led器件灯具模块开
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
料；100lm/w以上功率白光led制造技术；100lm/w以上半导体照明集成技术；汽车前照大灯系统集成技术；室内智能化led照明系统；大尺寸lcd背光源；功率led器件灯具模块开
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：light emitting diode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/news/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
意法半导体(st)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商norstel ab公司签署协议，收购后者55%股权。
https://www.alighting.cn/news/20190216/160342.htm2019/2/16 10:49:09
械加工性能比较差。 另外,SiC衬底吸收380 nm以下的紫外光,不适合用来研发380 nm以下的紫外led。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能,不需要象al2o3衬底上功率
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
