站内搜索
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
cree目前推出业界首个商业化碳化硅(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的硅模块，cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损，从而可以直
https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的：一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍，采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压
https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计，大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值，在电路中逐渐成为关键组件。
https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
