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罗姆实现业界最小的低vf SiC肖特基势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

科锐与英飞凌签署SiC晶圆片长期供应协议

近日,科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议,为英飞凌生产和供应wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该协

  https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02

低色温、高光效led路灯模块研究

块,很容易设计出具有不同光强扩散角和照度形状的低色温、高光效led模块,此模块可用于不同功率的路灯,隧道灯,泛光灯,投射灯和室内照明等的光

  https://www.alighting.cn/resource/20090616/128985.htm2009/6/16 0:00:00

科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议

硅(SiC)晶圆供应协议至5亿多美

  https://www.alighting.cn/news/20191120/165184.htm2019/11/20 9:26:34

SiC缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

gb/t 24823-2009 普通照明用led模块 性能要求

可安装在平面上,也可安装在曲面上。本标准适用于在恒定电压、恒定电流或恒定功率下工作的、不带整体式控制装置的led模块及采用250v 以下直流或1000v 以下50hz或60hz交

  https://www.alighting.cn/news/20110901/109435.htm2011/9/1 16:34:14

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

芯片和模块供求趋于平衡 led成本将快速下滑

led照明市场持续火热,目前照明市场上最常使用的仍是小功率的芯片及模块(3020/3528),以及大功率的芯片及模块(1w emitter)。一般认为led通用照明在2011年将

  https://www.alighting.cn/news/20110124/91713.htm2011/1/24 13:43:51

cree与安森美半导体签署SiC晶圆片多年期供应协议

昨(7)日,科锐(cree)宣布与安森美半导体(on semiconductor)签署多年期协议,将为安森美半导体生产和供应wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆片。

  https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44

gb 24819-2009 普通照明用led模块 安全要求

本标准规定了普通照明用发光二极管(led)模块的一般要求和安全要求: 在恒定电压、恒定电流或恒定功率下工作的不带整体式控制装置的led模块; 采用250v 以下直流或1000

  https://www.alighting.cn/news/20110914/109423.htm2011/9/14 14:43:53

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