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美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
果。据研究小组介绍，使用c面时，电流放大率在室温下和250℃时，分别得到了439和165的高电流放大率。但是由于掺杂浓度小、耐压低的缘故，所以与原来的功率元件用SiC制bjt“不能笼
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
”的水平，与合作单位在SiC衬底上制备的微波gan/algan hemt器件的输出功率密度达到５．５w/mm的水平，这是国产SiC半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，实现了从si
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出十款全新的高效率集成式motion-spm功率模块，适用于高达3kw范围的家用电器和工业电机应用。
https://www.alighting.cn/news/200797/V8323.htm2007/9/7 10:11:34
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。
https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～10
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
科锐于近日宣布推出全碳化硅300a/1.2kv半桥式模块。这一新型模块采用业界标准62mm封装，在开关过程中能够比同等硅基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全碳化
https://www.alighting.cn/news/2014521/n343662407.htm2014/5/21 9:17:02
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
