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d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和SiC衬底上生长gan基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总体形势是不容乐观的。 中科院苏州纳米技术
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/5/302456.html2012/12/5 22:33:21
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26
传统导热材料大部分都为金属和金属氧化物，星际照明led节能灯，以及其他非金属的材料，led灯管 就如石墨、炭黑、a1n、SiC等。随着科学技术和生产的不断发展，许多产品对导热材
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314037.html2013/4/10 11:24:37
色 led， 发光效率可达到了25lm/w。目前，这类led的发光效率正以每年10%-20%的速度提高。 美国的gree公司 采用热导率较高的SiC衬底生产ingan 蓝色和绿
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
