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司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00
胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、 黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
将SiC基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
类是美国cree公司为代表的SiC衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米，晶片热阻可降低20%，但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外，若将kchip值提高至280w/mk(SiC)，晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
.也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c）点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
m。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
