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－6]，在器件表面生成不透明物质，或者碳化物质在表明形成电导通道[4]，导致器件失效。由于小功率gan基leD的正常工作电流是20ma，远小于试验电流，封装材料碳化这种比较极端的失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
格是leD难以成为照明的主要因素，虽然leD目前已被大多数人认识，也被多数人看好，但其高昂的价格难以被消费者接受，目前单体黄色leD大约o．6元／个，绿色与蓝色单体leD在1．8元／个左
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
用新的极薄型llga微封装技术(2×2×0.55mm)来支持超薄应用。此外，部分改进的leD材料与设计拥有更低的正向电压(由3.6v降低到3.1v)，因此对电感解决方案来说，相同的功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
效级联以得到更高光输出； 5. 散热考虑； 6. 制造和装配考虑。特别是leD模块与可拍照手机使用的制造工艺的兼容性。 光学特性 当前在可拍照手机中使用的大多数数
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声免疫性（多帧同步），最多12位3态地址引脚(最多可提供312个地址码)，最多6位数据引脚，大范围的工作电压，单电阻振荡器，输出形式可设为锁存或瞬态。 发射器的作用是将编码
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134135.html2011/2/20 23:01:00
北四条辐射线。西安城墙是明太祖朱元璋洪武三年在隋唐“皇城”的遗址上历经八年扩建而成的，是我国现存规模最大、保存最完整的古代城池建筑。 西安城墙建于明洪武年间，以公元
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134137.html2011/2/20 23:03:00
器在6.5v至76v宽输入电压范围内保持125khz固定工作频率，是汽车应用的理想之选。亮度控制可以通过模拟(线性调节)或低频占空比(pwm)方式实现。 高亮度leD发展背
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h，且光源可以频繁地亮灭，而不会影响其寿命，并且启动速度非常快。 （6）可以通过控制半导体发光层半导体材料的禁止带幅的大小，从而发出各种颜色的光线，且彩度更高，如图2所示。 （7）光
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构的 leD 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 leD 的 1/6 左右，封装后的 leD 施加 2w 的电力时， leD 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
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入电压范围从 4.2v 降至 3.6v 不等，效率水平高于 75%，如图 3 所示。在 lDo 模式中，充电泵的作用就像lDo一样，输入电压经稳压降至 leD 正向电压，通常为 3.
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