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来的影响，由于损耗和色散都与系统的工作波长有关，因此工作波长的选择成为系统设计的一个主要问题。 综合考虑系统的指标要求与选定的光纤，选择820nm波长可使hcs光纤损耗低至6Db／k
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134091.html2011/2/20 22:14:00
度升高，从而影响太阳电池的性能。在同样条件下，不同的冷却方式和工况，太阳电池的工作温度也不同，也就是电池的性能也不同。而冷却方式和工况的不同主要表现为换热系数的不同。图4—图6给
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
示。 大屏幕显示范围为1024列×768行,时钟频率65mhz,整个显示区域分为6个存储器单元,每个存储器单元对应1024列×128行数据,2个存储器单元及1片控制芯片共同组
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134093.html2011/2/20 22:15:00
加的研讨会议，并取得了一定的成果。但leD的物理测量问题，至今尚未全部解决。2004年6月cie在日本再次举行cie leD专家研讨会（cie leD expert symposiu
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
a的电压调节器，Dc增益计算得出的结果约为30Db。对比一下，驱动10个白光leD((vo ≈36v)的电流调节器，电流也为1a、输入也为12v，其Dc增益仅为6Db。 放大的电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
、氢化物汽相外延（hvpe）[6] 等。 2.1 mocvDmocvD是一种非平衡生长技术，它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
－6]，在器件表面生成不透明物质，或者碳化物质在表明形成电导通道[4]，导致器件失效。由于小功率gan基leD的正常工作电流是20ma，远小于试验电流，封装材料碳化这种比较极端的失
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格是leD难以成为照明的主要因素，虽然leD目前已被大多数人认识，也被多数人看好，但其高昂的价格难以被消费者接受，目前单体黄色leD大约o．6元／个，绿色与蓝色单体leD在1．8元／个左
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
用新的极薄型llga微封装技术(2×2×0.55mm)来支持超薄应用。此外，部分改进的leD材料与设计拥有更低的正向电压(由3.6v降低到3.1v)，因此对电感解决方案来说，相同的功
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效级联以得到更高光输出； 5. 散热考虑； 6. 制造和装配考虑。特别是leD模块与可拍照手机使用的制造工艺的兼容性。 光学特性 当前在可拍照手机中使用的大多数数
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