检索首页
阿拉丁已为您找到约 22548条相关结果 (用时 0.0177871 秒)

日本半导体照明标准解读

  https://www.alighting.cn/news/20081231/109929.htm2008/12/31 0:00:00

激光处理的蓝宝石可增加hvpe GaN厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

GaN结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

北海道大学与日立推出半导体人用pet技术

北海道大学和日立制作所开发出了使用半导体检测器的人体用正电子发射体层摄影(pet)技术。此前已有使用半导体检测器的小动物用pet,而“用于人体还是全球首次”(日立制作所)。利用此

  https://www.alighting.cn/resource/20081105/128624.htm2008/11/5 0:00:00

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

管型基元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

管型基元led的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10

国家半导体(ns)专家论述led驱动经典

节约能源是现在的任务,不是一种选择。当涉及到照明,我们可以很容易想象的全球照明光源的效率提高10%的影响。但如果可以提高1000%吗?新的增强型发光二极管(led)有可能实现这些效

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/20/172739_52.htm2011/7/20 17:27:39

半导体生产线建立过程及问题处理

建一个新工厂意味着时间、金钱和公司资源上的巨大投入。整个公司的成功与否有可能取决于这个新工厂的投资回报率(roi)。要实现roi的最大化,需在多个因素之间进行权衡,从最初的工厂设计

  https://www.alighting.cn/resource/20051207/128898.htm2005/12/7 0:00:00

李健:低碳经济呼唤加快发展半导体照明

  https://www.alighting.cn/news/20100308/85796.htm2010/3/8 0:00:00

首页 上一页 213 214 215 216 217 218 219 220 下一页