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https://www.alighting.cn/news/20081231/109929.htm2008/12/31 0:00:00
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
北海道大学和日立制作所开发出了使用半导体检测器的人体用正电子发射体层摄影（pet）技术。此前已有使用半导体检测器的小动物用pet，而“用于人体还是全球首次”（日立制作所）。利用此
https://www.alighting.cn/resource/20081105/128624.htm2008/11/5 0:00:00
2007年3月2日，松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片，其在350ma下的总辐射通量为355mw，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月
https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
mjt是多p/n结技术，它的驱动电压要比常规的led的驱动电压高。市场上的高压led实际上是许多led芯片串并联而成，电路设计复杂，mjt则采用多junction 技术集成在同一芯
https://www.alighting.cn/pingce/20140221/121618.htm2014/2/21 13:56:38
上周与大家分享了acrich mjt5630在球泡灯上的应用，本周将重点为大家介绍mjt5630在candle上的解决方案建议。
https://www.alighting.cn/pingce/20140226/121778.htm2014/2/26 13:42:24
2011年11月25日，东莞勤上光电股份有限公司(以下简称勤上光电，股票代码“002638”)在深圳证券交易所正式挂牌上市，完成了登陆资本市场里程碑式的跨越。
https://www.alighting.cn/news/20111129/n002136081.htm2011/11/29 10:13:40
