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片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统leD的1/6左右,封装后的leD施加2w的电力时,leD晶片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到500c,接合温度顶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00
现的视觉效果。然而白光的三色配比不是简单的三种颜色的叠加。第一、在保证光频纯正的前提下,要求红、绿、蓝光强之比必须接近3：6：1；第二、由于 人们视觉对红色的敏感性,要求红色发光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229915.html2011/7/17 23:11:00
会导致leD电流的变化。如果额定正向电压为3.6v,则图1中leD的电流为20ma。如果电压变为 4.0v,这是温度或制造变化引起的特定压变,那么正向电流则降低到14ma。正向电压变
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229918.html2011/7/17 23:12:00
好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
度很高的材料；(6)、外延层大面积均匀性良好；(7)、可以进行大规模生产。mocvD与另一种新型外延技术--分子束外延(mbe)相比,不仅具有mbe所能进行的超薄层、陡界面外延生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
仅驱动一个leD就需要5到10ma的电流。低功耗对于使用电池供电的设备而言,具有相当大的意义。 从电气特性上看,el灯片具有阻容特性,等效电路如图1,电容容量通常是2到6nf/in
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射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着激活剂含量的不同,呈现规律性的变化。图6为与图5对应的稀土铝酸盐荧光粉的激发光谱。在不同的激活剂含量下,激发光谱的形状和激发峰位
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成,leD精确地围绕在边缘以提供照明。最终成品的均衡度为+/- 3%,亮度高达30,000 cD/m2,是光纤背光与150瓦卤素光源组合亮度的6.5倍。有高亮的红光或白光可癣尺寸各异
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