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o semiconductors正式则宣布加入液晶背光源开发行列，同时将发光效率定为50lm/w。有关rgb白光led的发光效率未来发展动向，基本上日亚化学推测rgb白光led的发光效率是拟似白光led1
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
子元件，回收再生塑料、再生金属材料生产led灯饰，这些劣质led灯饰价格比正常的led灯饰价格便宜50%以上。 led灯饰市场还存在部分非法之徒，欺骗供应商，骗取供应商材料生产成品，
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
4lm/w，荧光灯50～70lm/w），而且其光的单色性好、光谱窄，无需过滤可直接发出有色可见光。 2、耗电量少 led单体功率0.03～0.06w，采用直流或脉冲直流驱动，单
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物红色荧光粉的发射光谱。在不同的铕含量下，发射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着铕含量的增加，先增强后减弱，最强发射时铕含量为0.1%左右。图2为这些荧光粉的激发光
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高光效的新型结构，如图2所示，惠普公司1994年研制的这种透明衬底结构在技术含量和性能水平上均居世界之冠，其低功耗型达到100流明／瓦，功率型的倒梯形结构的发光效率达到了50流明／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
非辐射复合中心增加等，针对这些退化机制，采取了一些改进措施。 2 退化机理 2.1 封装材料退化 早期的gan基led可靠性研究观察到光输出迅速降低的一个重要原因是由于蓝光与紫外线辐
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共两组，均为共阴极结构）提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下，电流源默认为出厂时设定，预设电流电平的精度为 ±0.5%（典型值）。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编
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法。下面是关于led未来外延片技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较
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l)。本设计采用csmc0.6 μm工艺，根据工艺及设计要求，v1=3.3 v，uncox=50μa／v2 vthn=0.7 v，|vthp|=1 v，2up=un，因
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t1271和aat1272的双通道升压转换器，以每个高达750 ma的电流支持两个wled或者以高达1.5a的电流支持一个wled，并且它们都采用紧凑的3x3-mm tdfn封装。它
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