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led芯片的技术发展状况

性,提高了芯片寿命。2)键合技术  algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石,它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温,可通过减薄衬底或去

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00

led市场热潮汹涌 我国led产业面临海外市场上游瓶颈

据高工led 产业研究所调查,一些中大功率的led芯片已经开始涨价,蓝宝石材料也出现短缺,对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说,并不是一个积极信号。目前led主流芯片制

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233063.html2011/8/19 23:50:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

高亮度高纯度白光led封装技术研究

浆,从而可获得较为理想的散热效果(锡的热阻约为1 6 ℃·w-1)。2 esd静电保护我们实测发现,以sic为衬底的ingan抗esd能力(人体模式)可达1 100v以上。而一般以蓝宝

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00

需求推高led产品价格 第三季度产能或跟上

致led产品供应过量。    对此,led芯片制造商表示,led产品的过量供应将会遏制该产品的价格上涨过快,并且有助于解决蓝宝石基板(sapphire substrate)的短缺问

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/8/8/232048.html2011/8/8 21:11:00

led封装技术

光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮

  http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00

芯片涨价风声起 上市公司led投资热度更旺

设到投产大概需要一到两年。”   除供应偏紧外,制作芯片的衬底材料价格持续上涨也是市场流传led芯片即将涨价的一个重要原因。有数据显示,7个月来,需求上升已经推升蓝宝石衬底材料上涨

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/28/231232.html2011/7/28 22:09:00

[转载]台积电进军led 采钰打头阵

用的氧化铝(蓝宝石)基板技术不同;李豫华表示,矽基封装led在散热方面优于蓝宝石基板,但目前售价也高于蓝宝石基板的产品。   2011年第1季在大厂cree上游产品带头降价的效

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230921.html2011/7/26 21:52:00

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