站内搜索
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很大，所以在正常工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
线能朝前方集光(图5)；日亚化学则是使在蓝宝石基板表面形成凹凸状藉此散乱光线，同时采用网状电极增加电极部位的取光效率(图6)。 图5 osram的gaalp系led改善组件结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
值已超过50亿元，有些企业的产值也达到10亿元，分布在上中下游产业链上的企业有300多家，其中氮化镓蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品，蓝宝石衬底晶体生产，半导体照明项目已经达到国
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126737.html2011/1/9 19:54:00
面积的芯片上加大电流（如单芯片10w），而以一颗led的生产成本取代多颗的传统led。 led的战国时代 提高led性能的一种方法乃将电流由弯流改成顺流。由于蓝宝石基材不导
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
]或70ma恒定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
射上，在algainp的结构中增加一层dbr（distributed bragg reflector）反射层，将另一边的光源折向同一边。gan方面则将基板材料换成蓝宝石（sapphire，al2o
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
示 p-gan 层和 undoped-gan 层进行粗化处理的 led 。 图 1 ：器件结构示意图 这里 led 的器件结构包括：蓝宝石衬底上在 550
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
