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陶瓷3535 rgbw灯珠——2018神灯奖申报技术

陶瓷3535 rgbw灯珠,为苏州晶品新材料股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180108/154643.htm2018/1/8 9:52:40

陶瓷5050 rgbw灯珠——2018神灯奖申报技术

陶瓷5050 rgbw灯珠,为苏州晶品新材料股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180108/154645.htm2018/1/8 9:53:23

重庆组建半导照明产业联盟

由多家民营企业以及部分科研单位参与组建的重庆半导(led)照明产业联盟在渝正式成立。

  https://www.alighting.cn/news/20041026/103017.htm2004/10/26 0:00:00

科锐推出封装型1700v碳化矽肖特二极管

科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化矽肖特二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120206/122771.htm2012/2/6 10:01:21

晶能光电发布新一代硅大功率led芯片

日前,晶能光电(江西)有限公司新一代硅大功率led芯片产品发布会在广州举行,这标志着南昌高新区光电企业在led技术领域又取得一项重大进展。

  https://www.alighting.cn/news/20120619/113407.htm2012/6/19 9:42:10

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓led外延片试产成功

合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓led外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

韩led厂加码GaN板研发 抢led照明市场

韩国led厂商为了和中国业者竞争,首尔半导(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN板,封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy),强化产品效能、延长使

  https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28

tdi宣布量产4吋GaN磊外延片和aln磊外延片

美国化合物半导衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的GaN磊外延片和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

epiGaN 成功调试爱思强mocvd,用于量产6英寸硅氮化镓晶片

n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅氮化镓晶片,以及开发新一代200 毫米硅氮化镓晶

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49

sizno/ga_2o_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

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