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随着半导体技术的飞速发展，对封装材料的要求也越来越高，以前应用的普通环氧树脂已不能完全满足技术要求。目前国外对环氧树脂的技术改进主要集中在以下两个方面。 1、低粘度化 用环氧树
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
出三个系列的高效低光衰红色荧光粉。 1硫化物系列红色荧光粉 该系列荧光粉以二价铕作为激活剂，在紫外、紫光和蓝光的激发下发射出峰值波长大于600nm的宽带发射。图1为不同铕含量下硫化
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led，gan基led得到了迅速的发展。gan基led以其寿命长、耐冲击、抗震
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
光集中到ｌｅｄ的轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。 一般情况下，ｌｅｄ的发光波长随温度变化为０．２~０．３ｎｍ/℃，光谱宽度随之增
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
件 利用创新的出厂 eeprom 编程技术，可以将默认值设定在 3ma～10ma 的范围（步进增量为 1ma） 可选的外部电阻器可实现高精度、用户可编程电流等功能 过流
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法。下面是关于led未来外延片技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
led萤光粉配胶程序是led工艺中，相当基础的一环，我们来看看是怎么做的。 准备工作： 1、开启并检查所有的led生产使用设备（烤箱、精密电子称、真空箱） 2、用丙
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以p管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
定的。目前，市场上的白光led其光衰可能是向民用照明进军的首要问题之一。针对led的光衰主要有以下二大因素： 一、led产品本身品质问题：1、采用的led芯片体质不好，亮度衰
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