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1 引 言 动态显示多采用专用芯片8279扩展键盘和led显示器，该方式可实现键盘的中断方式或查询方式输入，但体积和功耗都较大。其他方式的扩展则难以实现动态显示，并且编程复杂，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134101.html2011/2/20 22:21:00
路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。 在某些情况下，人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
础上，重新设计和研制了一种全新的，由32位高性能arm微处理器组成的led显示屏控制图1系统的硬件结构框图系统，并通过rs485接口与现场总线中的上位机进行实时数据通信，实现整个系
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
合物半导体，gan层属于近紫外led活性层，因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前，hi-led上几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
度限值。表1罗列了针对一个高电流白光led的典型正向电压与驱动电流的相互关系。 在单个led至三个（串联）led的应用中，将需要一个降压型led驱动器（比如：凌力尔特的lt347
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
d的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，led的发光强
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
却方式下太阳电池工作温度随光强的变化规律。 1数学物理模型的建立 1．1太阳电池的电学特性方程 如果在太阳电池两端接上一个负载电阻ri，那么太阳电池在工作状态下的等效电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
1 复杂可编程逻辑器件概述 复杂可编程逻辑器件(cpld)最早出现于80年代后期,由于其高速、设计灵活、成本低、延时可预测等特点,一经面世便得到广泛的应用。世界各主要pl
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134093.html2011/2/20 22:15:00
我们在研制一个阵列信号处理系统中，由于阵列天线必须放置于四周开阔地带，而阵列信号处理单元位于圆形陈列天线中央位置，这就需要在阵列信号处理单元与位于1～2km以外的微机之间进行双
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