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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
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期的技术突破实现了第一个基于gan的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产ganled,这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝色led的发明使真
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品图。图(3)是面积为60mm×130mm的pcb板,每组由44只片式led连为一个整体,图(4)片式led单元图中a)图适用于制作单电极晶片的普通片式led,b)图适用于制作蓝宝
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前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石al2o3和碳
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就是一项挑战,因为无论在良率、研发、生产工程上都是需要予以克服的。当然,还有其他方式可达到提高发光效率的目标,许多业者发现,在led蓝宝石基板上制作出凹凸不平坦的结构,这样或许可以提
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合之后，再将不导电的蓝宝石基板予以移除，之后再完成后续制程；就电流分布而言，由于在垂直结构中，较不需要考虑横向传导，因此电流均匀度较传统水准结构为佳；除此之外，就基本的物理塬理而
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件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
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学和丰田合成在led发展中占有重要地位，都形成了led完整的产业链，其中日亚化学1994年第一个生产出蓝光芯片，并在蓝宝石衬底技术路线专利技术方面具有垄断优势。美国cree(科
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理，商业照明、高端消费家庭领域开始使用led，led室内照明进行市场推广的时机已经成熟。 技术日渐成熟 近年来，我国led芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光led有很大突
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