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目前，中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2008年北京奥运会对led照明的集中展示让人们对led有了全
https://www.alighting.cn/news/2013128/n001248597.htm2013/1/28 15:18:21
省照协全健会长说，台湾同行向我们展示了各自企业的先进经营理念及生产规模，台湾企业的技术优势明显，从外延生长和设备，芯片设计和封装工艺，以及光源设计和灯具散热模组生产，都值得大陆企
https://www.alighting.cn/news/2011328/n232230881.htm2011/3/28 19:13:03
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
本文为南京工业大学电光源材料研究所所长王海波先生关于《led和oled照明的发展现状》的演讲，主要总政策和目前业内光效水准开始，讲到外延的生产，设备发展状况，行业的标准状况…
https://www.alighting.cn/resource/20111213/126802.htm2011/12/13 15:04:49
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了algan表面形貌的形
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
0 min左右,显示的位错清晰、准确,且最适合随后的横向外延生
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
天龙光电利用超募资金投入，华晟光电以多项mocvd专有技术及资金投入，共同在常州合资成立独立法人的中外合资公司，主要从事mocvd设备及外延工艺的研发、生产、销售、及售后服务，并
https://www.alighting.cn/news/2011221/n177430372.htm2011/2/21 18:31:08
