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今年6月，国星光电在中美两地同时发布mini led显示新品imd-m07。0.7毫米的点间距，倒装芯片封装技术，为P1.0以下超高清显示提供了良好产业化条件。不可否认，im
https://www.alighting.cn/news/20190920/164183.htm2019/9/20 17:27:18
验和评估协议，以提供关于fluence vyPr 2P 宽光谱led照明解决方案的性能、功能及适用性的反
https://www.alighting.cn/news/20191108/164959.htm2019/11/8 9:42:51
优特电源新推出了30至100瓦bsd系列恒流驱动电源。该系列是高性价比的紧凑型电源，并通过了ul class P认证，产品可内置于鞋盒灯，路灯，工矿灯，隧道灯和泛光灯等。
https://www.alighting.cn/news/20200410/167852.htm2020/4/10 17:36:53
量生产 gaas0.60P0.40/gaas的红色led。 1997年美国光学学会为表彰holonyak 的功绩设立holonyak奖。 1975年前后液相外延生长lP
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
把以上所说的三种半导体二极管统统叫做发光二极管[1-4]. 发光二极管是由ⅲ-v族化合物,如gaas(砷化镓)、gaP(磷化镓)、gaasP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是Pn
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
组成，一部分是P型[1]半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-n结”.当电流通过导线作用于这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
体,常温下的电阻率大于1011ω?;cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入P区，空穴由P区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
