P4-阿拉丁站内搜索引擎

站内搜索

阿拉丁已为您找到约 25396条相关结果（用时 0.0186055 秒)

按相关排序按时间排序

[转载]led研究人員攻克led發射器的靜電危害性

2×1019 cm-3。当量子阱生长之后，如果将200nm厚的P型gan薄膜中的镁掺杂浓度调整为4×1019 cm-3，效果会更好。　　电气过载（eos）毫秒级的静电所具有

http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

本底杂质浓度进一步降低(一般达到1015cm-3)。由远红外光电导和光致发光研究表明,主要残留杂质是si、 ge、c和zn。(4)、n型P型外延层用的掺杂源的控制气体源：h2s、h

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

什么是设计心理学(二)

知到的环境，行为永远是他心理空间的一个功能，反之，生活空间又是人和环境相互作用的产物。勒温认为,行为是个人和环境组成的,并提出人类行为一个著名的公式b=f(P•e),

http://blog.alighting.cn/rosekey/archive/2011/8/18/232729.html2011/8/18 14:09:00

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

首页上一页 268 269 270 271 272 273 274 275 下一页