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、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验,剔除早期失效品,保证产品的可靠性很有必要。5 静电防护技术蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面,间距很小;对于ingan/ algan
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很大，所以在正常工作条件下也存在金
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
机 led封装产业乐观期待其它新材料的研发。高反射系数(逼近蓝宝石的1.77)的封装和覆膜材料开发已露出曙光。而从使用者需求的观点来看，确定一个标准的封装尺寸将有助于使用h
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230916.html2011/7/26 21:42:00
光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00
据高工led 产业研究所调查，一些中大功率的led芯片已经开始涨价，蓝宝石材料也出现短缺，对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说，并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233063.html2011/8/19 23:50:00
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00
目基本上都是靠其他项目养活的。” 据了解，各地竞相出台的led投资规划和在建产能已经远超出市场的实际需求，以投资最热的led蓝宝石衬底为例，其在建项目产能达10100万片/年，
http://blog.alighting.cn/114793/archive/2011/11/12/252489.html2011/11/12 10:38:55
片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就更低，只有500-600伏。一个好的芯片或led,如果我们用手去拿（身体未作任何防护措施），其结果就可想而知了，芯片或led将受
http://blog.alighting.cn/112007/archive/2011/11/16/253950.html2011/11/16 16:36:07
