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从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00
未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术；高al组分algan材料生长技术和掺杂技术；深紫外led结构设计；波长300nm以下led器件芯片制作工艺和封装技术；面向医
https://www.alighting.cn/news/20100512/85867.htm2010/5/12 0:00:00
相对外延和芯片来说，目前中国在封装领域具有一定优势，并拥有一部分重要专利，但企业发展呈现小而多的形态。并且目前中国封装企业在应用上以照明为主，而短期内大尺寸背光是最大的应用市
https://www.alighting.cn/news/20100711/85986.htm2010/7/11 0:00:00
ledinside日前在中国上海专访了led外延设备大厂veeco 的副总裁jim jenson，关注mocvd设备在当前全球与中国led市场的发展，以及未来led产业会面临的变
https://www.alighting.cn/news/20100408/86172.htm2010/4/8 0:00:00
股的大陆首家从事氮化鎵基led外延..
https://www.alighting.cn/news/20101122/86173.htm2010/11/22 0:00:00
杭州士兰明芯科技有限公司是一家设计、制造高亮度led芯片的光电半导体器件公司。公司注册资本金为7亿元人民币，占地75亩，进口生产设备400多台套。公司产品涵盖了外延生长和高亮度蓝
https://www.alighting.cn/news/20110726/86240.htm2011/7/26 11:08:04
硅基gan衬底面临一些技术挑战。gan和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
截至2012年底，中国mocvd设备数量超过900台，但当年mocvd产能利用率不到五成，显示出我国led外延芯片产能已经过剩。分析人士认为，企业扩产的目的是通过扩大规模来降低成
https://www.alighting.cn/news/20131025/87745.htm2013/10/25 11:00:27
很多同行在抱怨中国大陆led厂没有掌握到led核心技术，实际上这个所被抱怨的核心技术更多的是体现在led上游，包括mocvd机台以及外延晶圆厂等领域。但是就全球范围来看，尤其是
https://www.alighting.cn/news/20130809/88030.htm2013/8/9 10:41:11
2012年，我国半导体照明产业整体规模达到了1920亿元，较2011年的1560亿元增长23%，增速有所放缓，成为近几年国内半导体照明产业发展速度最低的年份。其中上游外延芯片、中
https://www.alighting.cn/news/20130108/88958.htm2013/1/8 10:34:32
