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素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~60
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22
寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~600n
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261503.html2012/1/8 21:46:52
c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a，b，c，D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261491.html2012/1/8 21:45:57
源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为：v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261485.html2012/1/8 21:45:40
为1，即置行移位寄存器的D为高电平，str使能（所有4094的oe 引脚接＋5v电平），从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261480.html2012/1/8 21:45:34
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261476.html2012/1/8 21:40:20
v背光源，颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是leD在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管（ccfl）更具优势，因而吸引业者积极投入。 早期单芯片le D的功
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261473.html2012/1/8 21:40:12
持恒定的电流。该典型电路配置如图1所示。图1 典型的脉宽调制控制器，用以产生恒定的电流图1中，r1采样流经D1 的电流。其结果电压将在脉宽调制控制器中与一个基准电压进行比较，以确保开
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261471.html2012/1/8 21:40:09
常有四种不同的驱动电路：(a) 电压源与镇流电阻, (b) 电流源与镇流电阻, (c) 多路电流源, (D) 一路电流源驱动串联leD。图5.各个白色leD的正向电压(vf)对调节
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