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leD晶圆技术的未来发展趋势

此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv leD晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光leD奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

leD的封装技术

高leD的内、外部量子效率。常规φ5mm型leD封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

leD外延片(衬底材料)介绍

]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀;• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小;• [5]导电性好,能制成上下结构;• [6]光学性能好,制作的器件所发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

发光二极管封装结构及技术

包封材料,应用要求提高leD的内、外部量子效率。常规φ5mm型leD封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

leD外延生长工艺概述

业介面的温度梯度逐渐变小,所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低,以避免晶棒扭曲的现象产生。5、尾部成长(tail growth)当晶体成长到固定(需要)的长度后,晶棒的直径必须逐

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照明用leD封装技术关键

、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验,剔除早期失效品,保证产品的可靠性很有必要。5 静电防护技术蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面,间距很小;对于ingan/ algan

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

leD作背光源的技术现状

熟且成本大幅度下降后,leD 电视渗透率才会逐渐往上攀升。预估2010年leD 电视渗透率将接近5%,2011年渗透率可望提高到7%-8%,2012年渗透率才会突破10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229965.html2011/7/17 23:39:00

leD隧道照明的技术指标

光形式不同于一般的道路照明。在隧道照明中蝙蝠翼型配光、朗伯型配光都可以满足照度均匀度的要求,这主要是由于隧道照明中灯距比较小,例如国内一隧道照明工程的中间段灯距也只有5米。香港真明

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229970.html2011/7/17 23:41:00

【baD208】磁力强光工作灯【西安】

用寿命:100 000h baD208多功能手持强光工作灯 连续工作时间:强光:≥5h工作光:≥15h baD208多功能手持强光工作灯 外形尺寸(长×宽×高):220×90×10

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229996.html2011/7/18 14:15:00

【jw7400】多功能磁力强光工作灯【 西安】

灯平均使用寿命:100 000h jw7400多功能手持强光工作灯 连续工作时间:强光:≥5h工作光:≥15hjw7400多功能手持强光工作灯 外形尺寸(长×宽×高):220×9

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230021.html2011/7/18 15:11:00

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