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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

led市场热潮汹涌 我国led产业面临海外市场上游瓶颈

据高工led 产业研究所调查,一些中大功率的led芯片已经开始涨价,蓝宝石材料也出现短缺,对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说,并不是一个积极信号。目前led主流芯片制

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262709.html2012/1/29 0:39:12

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26

led照明产业化政府应率先应用推动

大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12

推动led产业健康可持续发展策略分析 地下停车场照明

与国际先进水平的差距不断缩小。封装技术接近国际先进水平。金属有机源、蓝宝石衬底技术取得突破,并大规模应用。产品应用领域从较为成熟的指示显示、景观照明、中小尺寸液晶屏背光源等领域,向

  http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2012/2/3/263561.html2012/2/3 11:39:22

全面详解led死灯的多种原因

穿的不同面料衣服、及各人的体质有关,秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象,这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏,蓝宝石衬底芯片的esd值就

  http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/2/29/265106.html2012/2/29 15:14:13

全面详解led死灯的多种原因

穿的不同面料衣服、及各人的体质有关,秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象,这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏,蓝宝石衬底芯片的esd值就

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39

led照明产业化政府应率先应用推动

大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42

led照明产业现状及发展趋势简析

光效率达到 40~50lm/w;1990年基于sic材料的蓝光led出现,发光效率为0.04lm/w;90年代中期出现以蓝宝石为衬底的gan蓝光led,到目前仍使用该技术。3 le

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268550.html2012/3/16 17:28:21

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