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金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279584.html2012/6/20 23:08:40
0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
完全纯净的半导体称为本征半导体。如果在本征半导体分别扩散不同的杂质，就会各自形成p型半导体和N型半导体。此时将会在p型半导体和N型半导体的结合面上形成pN结。这就构成了半导体二极
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279375.html2012/6/20 16:01:54
施技术条件》(cj/t 3076-1998) 7、《节约能源—城市绿色照明示范工程》评价指标 三、灯杆布置及照度 1、主桥采用双侧对称布灯方式： eav=φ×N×η（k×
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279241.html2012/6/20 11:40:59
线方向和第i个眩光源的光射入观察者眼睛方向的夹角（°）；k为年龄系数（一般计算时取10）；N为眩光源总数。且规定接受灯具光线为水平线上方20°，其他部分被汽车挡风玻璃顶屏蔽。阈值增
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279131.html2012/6/20 9:59:44
1)；uf为路面直射光利用系数；k1为因相互反射作用使照度上升的系数；φs为灯具中全部光源的总光通量(lm)；k为减光系数；b为路面宽度(m)；s为灯具间隔(m)。 其中,N、φs、b
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279122.html2012/6/20 9:54:36
流(a) le——计算负荷矩时，始端到末端的有效距离(km) l——均匀布灯，线路始端到末端的有效距离(km) Nie——均匀布灯时，单相N只路灯，每只灯额定电流ie，两者之积
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279117.html2012/6/20 9:51:50
■■）（１．５°≤θ≤６０°）式中，k— 年龄系数；ｅｅｙｅｉ— 第i个灯具对观察者的照度；θi— 视线与第i个灯具的夹角；N— 灯具数量.ｌ■：环境产生的光幕亮度（cd/m2）ｌ
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279103.html2012/6/20 9:43:52
果室内摆了一套栗色或褐色家具，适宜用黄色灯光，可以形成一种广阔的气氛。 ! h0 c) i/ x* N( f# ? 如果将天花板涂上淡雅的冷色，并在天花板的四周装暗饰灯，就会使人觉
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/6/19/279059.html2012/6/19 17:24:48
算。 平均照度(eav)= 单个灯具光通量φ×灯具数量(N)×空间利用系数(cu)×维护系数(k)÷地板面积(长×宽) 3、公式说明 1、)单个灯具光通量φ，指的是这个灯具
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