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-353x(2006)02-0098-041 引言 gan作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与InN,aln形成组分连
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
际上ingan/gan系led却能作高效率发光，换句话说ingan系led具有与以往led相异的发光机制。 inxga1-xn是由InN与gan所构成的三维化合物半导体，gan层属于近紫外led活性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与InN,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（algan、ingan、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
8 年， 由gaasp 材料制作的led效率已达到1 lm /w ，并且能发出红、橙、黄色光。20世纪90年代初，发红光、黄光的gaalinp和发绿、蓝光的ga InN 两种新材
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
