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led卡灯:新型白光led产品

8 年, 由gaasp 材料制作的led效率已达到1 lm /w ,并且能发出红、橙、黄色光。20世纪90年代初,发红光、黄光的gaalinp和发绿、蓝光的ga InN 两种新材

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15

led卡灯:新型白光led产品

8 年, 由gaasp 材料制作的led效率已达到1 lm /w ,并且能发出红、橙、黄色光。20世纪90年代初,发红光、黄光的gaalinp和发绿、蓝光的ga InN 两种新材

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49

si衬底gan基材料及器件的研究

型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与InN,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(algan、ingan、alinga

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

际上ingan/gan系led却能作高效率发光,换句话说ingan系led具有与以往led相异的发光机制。 inxga1-xn是由InN与gan所构成的三维化合物半导体,gan层属于近紫外led活性

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00

InN材料的电学特性

InN材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,InN是性能优良的半导体材料。InN的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

si衬底gan基材料及器件的研究

-353x(2006)02-0098-041 引言 gan作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与InN,aln形成组分连

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

子缺陷照理说不会发光,实际上ingan/gan系led却能作高效率发光,换句话说ingan系led具有与以往led相异的发光机制。 inxga1-xn是由InN与gan所构成的三维化

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

useful tips to know about wow gold

u ready to lose everything you have earned InN sake of this cheap gold? the answer is obvious

  http://blog.alighting.cn/ythghre/archive/2009/12/12/21377.html2009/12/12 9:02:00

科特勒:活下来,比什么都重要!

0美元/晚,万豪(marriott)的价格是180美元/晚,庭院旅馆(courtyard motel)的价格是80美元/晚,公平旅馆(fairfield InN)的价格是50美元/

  http://blog.alighting.cn/guoyunping/archive/2009/7/11/4419.html2009/7/11 9:06:00