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位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于InN和gan相分离而形成的富in类量子点结构，主导着ingan基发光二极管发光波长，体现了ingan基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
0美元/晚，万豪（marriott）的价格是180美元/晚，庭院旅馆（courtyard motel）的价格是80美元/晚，公平旅馆（fairfield InN）的价格是50美元/
http://blog.alighting.cn/guoyunping/archive/2009/7/11/4419.html2009/7/11 9:06:00
ledinside发表知识库新文章[浅谈InN材料的电学特性]
https://www.alighting.cn/news/20080506/105652.htm2008/5/6 0:00:00
gan、aln、InN及其合金等材，是作为新材料的gan系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展gan基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
