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片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
电的多少,与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关,秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象,这种静电放电的电压就有三千伏。 碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏,蓝宝石
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。 迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
据高工led 产业研究所调查,一些中大功率的led芯片已经开始涨价,蓝宝石材料也出现短缺,对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说,并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271811.html2012/4/10 23:37:26
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24
献给行业人士。 硅基led之所以引起业界越来越多的关注,是因为它比传统的蓝宝石基底led的散热能力更强,因此功率可做得更大,cree就重点在发展硅基led,它目前存在的主要问题是
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08