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led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

兆光科技——领先的led技术

斯全明星赛季。本次视屏系统升级后,美国航线中心体育馆的视频播放能力将提升300%,能带来这种变化的正是由lighthouse(兆光科技)提供的最先进的1080P高清显示系统。  说

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271137.html2012/4/10 20:56:34

led照明与功率因数之间的关系研究

视在功率”,视在功率s包括有功功率P和无功功率q两个分量。其中有功功率P=s*cosф,无功功率q=s*sinф。只有当功率因数cosф值等于最大值1即ф=0°时,无功分量q才等于

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268599.html2012/3/17 14:20:39

利用sm光环境测试系统进行隧道光环境的测试与研究

角;  P—每个单独灯具的位置指数.  位置指数P应按图3生成的h/w和y/w的比值确定。  (2)用于道路照明的眩光指标ti,它表示当存在眩光源时,为了达到同样看清物体的目的,在物

  http://blog.alighting.cn/1083/archive/2012/3/16/268404.html2012/3/16 9:46:07

兆光科技——领先的led技术

斯全明星赛季。本次视屏系统升级后,美国航线中心体育馆的视频播放能力将提升300%,能带来这种变化的正是由lighthouse(兆光科技)提供的最先进的1080P高清显示系统。  说

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268376.html2012/3/15 21:58:17

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

垂直结构led技术面面观

直流过led外延层,极少横向流动的电流,可以改善平面结构的电流分佈问题,提高发光效率,也可以解决P极的遮光问题,提升led的发光面积。制造垂直结构led芯片技术主要有三种方法:一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

什么是功率因子

功率因子:电路中的功率与电流、电压均方根的乘积之比。* d- f" ?1 @* r4 n; i$ P对于正弦波来说,功率因子等于电压、电流位相差的余弦。

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267946.html2012/3/15 21:06:52

光束效率与光束角

\光束效率:由光束角限定的立体角内辐射出的光通量与裸光源光通量之比。6 a1 P7 q5 @# k# r光束角:在光束的轴面上,光强值降至其峰值某一比例时所对应的角度。

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267939.html2012/3/15 21:06:27

led光源的研制和市场动态

趣和重视。  要 具 体 分析led科研进展,我们可先回顾一下半导体工业的发展历史。人们一般将si,g e称为第一代电子材料,而将gaas,in P,g aP,in as,a la

  http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50

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