站内搜索
x；夜里 0.3～0.03 lux（明亮月光下）；0.003～0.0007 lux（阴暗的夜晚）以上参数公供参考 技术参数: 供电电压： 12vdc～30vdc感光体： 带滤光片的
http://blog.alighting.cn/wuxianlian/archive/2011/7/25/230719.html2011/7/25 14:40:00
http://blog.alighting.cn/wuxianlian/archive/2011/7/25/230716.html2011/7/25 14:39:00
http://blog.alighting.cn/wuxianlian/archive/2011/7/25/230715.html2011/7/25 14:38:00
光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“gan同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介
https://www.alighting.cn/news/20110725/108982.htm2011/7/25 14:35:50
在西安高新区和西安经开区半导体照明产业基地，构建半导体照明外延片等产业链，建设国内一流的半导体照明高技术产业基地。
https://www.alighting.cn/news/20110725/100215.htm2011/7/25 13:23:06
近日，无锡蓝星电子有限公司和华晶公司合作的led高端芯片生产线开始试生产，这条led高端芯片生产线投产后，初期年生产芯片规模将达到1.2亿颗，实现销售1.8亿元人民币。
https://www.alighting.cn/news/20110725/114961.htm2011/7/25 9:23:15
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
7月21日，无锡蓝星电子有限公司和华晶公司合作的led高端芯片生产线开始试生产。这条生产线的投产，填补了我国在高亮度、大功率led外延芯片自主研发、规模化生产领域的空白。这也意
https://www.alighting.cn/news/20110722/115255.htm2011/7/22 9:34:48
