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si衬底gan基材料及器件的研究

、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术,它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

白光led电荷泵电路板布局指南

间最好没有过孔。 图1 图2 如果有独立的gnd与pgnd和/或in与pin引脚,则ic包含有独立的电源和偏置输入。如

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如何应对新型大功率led的设计挑战

流达到0.7a。这比要求1.4vdc时驱动电流仅要20ma的标准led要高多了。 目前,二极管的冷却是机械设计和电路板布局需要考虑的主要问题。管芯温度也会影响器件的输出亮度,因为

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玩转升压调节器——预测led驱动器反馈环路

a的电压调节器,dc增益计算得出的结果约为30db。对比一下,驱动10个白光led((vo ≈36v)的电流调节器,电流也为1a、输入也为12v,其dc增益仅为6db。 放大的电

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白色发光二极管及其驱动电路

1前言 近几年,业界开始大量采用led替代ccfl和el作为lcd的背光(背景光照明的简称),与ccfl、el相比.led具有如下优点:1)可使lcd色彩更逼真,采用led背

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00

集成功率级led与恒流源电路一体化设计

v; 电功率:pm ≥ 5 w(加散热片); 光效≥17 lm/w; 热阻:rθ≤16℃/w(包括硅基板和铜热沉); 3 电路结构设计 3.1 电路原理设计 电路原

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

异的构造和型态。整套系统可分为 1.进料区 进料区可控制反应物浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶经mfc 精密控制流量,而固态或液态原料则需使用蒸发器使进料蒸发或升华,再以h

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照明led的特性测量

通照明用led光源的测量中存在的问题进行了讨论,并提出了新的建议。 1、概述 近年来led的研发、生产和应用飞速发展。蓝光led的发明使得led应用于普通照明领域成为了可

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光纤照明和led照明的比较

场发光。它具有如下特点: 1)电压:led使用低压电源,供电电压在6-24v之间,根据产品不同而异,所以它是一种比使用高压电源更安全的电源。 2)效能:消耗能量比同光效的白炽灯减

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led发光字的光源选择

所利用率的基础上应运而生的。以往的超薄发光标牌和超薄发光灯箱厚度大致在1.5-3.0cm之间。2004年,南京比亚公司在此基础上,独立开发了一套厚度在0.8-1.5cm之间的超薄标

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