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高亮度led之「封装光通」原理技术探析

陆方面称为「发光二极管」。 附注:一般而言,hb led多指8lm/w(每瓦8流明)以上的发光效率。 附注:一般而言,hp led多指用电1w(瓦)以上,功耗瓦数以顺向导通电压乘以

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

技术洞察-突破ingan缺陷障碍 积极应用不均匀的结晶结构

体发光产品市场的生力军,预测市场规模将会达到1兆日元以上。   但是ingan为什么会具有很好的发光能力,这一点在此之前一直都没人能够解答。所以筑波大学的秩父重英、上殿明良助教

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00

led生产工艺及封装技术(生产步骤)

整   2.扩片   由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是led芯片的间距拉伸到约0.6m

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00

led如何找到室内照明市场的平衡点

积应用的平稀点。 led被誉为21世纪的绿色照明产品,如今几乎全世界的的目光都聚焦在这个新型的光源上,与传统光源相比,有着无可比拟的优势: 1、高纯度,鲜艳丰富的色彩。目前le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134122.html2011/2/20 22:57:00

基于cyclone ep1c6和spce061a的led大屏幕系统设计

出了一种基于spce061a和cyclone ep1c6的led大屏幕解决方案。该设计方案无须外挂flash rom和ram,无须任何外部功能电路,所有功能均由一片ep1c6和一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

级与非辐射复合中心增加等,针对这些退化机制,采取了一些改进措施。2 退化机理 2.1 封装材料退化 早期的gan基led可靠性研究观察到光输出迅速降低的一个重要原因是由于蓝光

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

背光驱动电路的选择策略和应用介绍

个led。对背光驱动电路的要求是: 1. 满足背光的亮度要求; 2. 整个显示屏亮度均匀(不允许有某一部分较亮、另一部分较暗的情况); 3. 亮度可以方便地调节; 4

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00

si衬底gan基材料及器件的研究

、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术,它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

白光led电荷泵电路板布局指南

间最好没有过孔。 图1 图2 如果有独立的gnd与pgnd和/或in与pin引脚,则ic包含有独立的电源和偏置输入。如

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如何应对新型大功率led的设计挑战

流达到0.7a。这比要求1.4vdc时驱动电流仅要20ma的标准led要高多了。 目前,二极管的冷却是机械设计和电路板布局需要考虑的主要问题。管芯温度也会影响器件的输出亮度,因为

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