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硅衬底上gan基led的研制进展

长在蓝宝石或sic衬底上,但是这两种衬底部都比较昂贵,尤其是碳化硅,而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点,人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

详解led封装全步骤

、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)   工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。   由于银胶和绝

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00

通过散热设计延长led主照明寿命

中lchip為热传路径的长度(蓝宝石基板厚度為100微米);kchip為总热导係数(蓝宝石约為35~40w/mk);achip為热传路径的截面积(40mil=1mm2)。根据上式,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00

高效率光子晶体发光二级管led

成led芯片的正面反射电极和蓝宝石衬底剥离后的载体,此技术较简易,也比目前一般贴合技术在应力方面问题的更容易解决,可以得到更稳定与良率更高的单电极芯片,而利用此技术在后面电极制作

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

以dlc接口及钻铜基材制造大功率的垂直led

面积的芯片上加大电流(如单芯片10w),而以一颗led的生产成本取代多颗的传统led。 led的战国时代 提高led性能的一种方法乃将电流由弯流改成顺流。由于蓝宝石基材不导

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00

如果led芯片实现国产化,成本将降低30%

%的大功率芯片还得依靠进口。国内的led企业,每10家使用大功率芯片的企业中有8家用的是国外企业生产的芯片,其主要原因有:基于蓝宝石衬底的led核心专利主要被日亚化学和丰田合成把

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00

简介国内led 产业七大基地

值已超过50亿元,有些企业的产值也达到10亿元,分布在上中下游产业链上的企业有300多家,其中氮化镓蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品,蓝宝石衬底晶体生产,半导体照明项目已经达到国

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126737.html2011/1/9 19:54:00

led倒装(flip chip)简介

功率led由于芯片的功率密度很高,器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前gan基外延衬底材料有两大类:一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石;一

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

led发光效率发展动向

线能朝前方集光(图5);日亚化学则是使在蓝宝石基板表面形成凹凸状藉此散乱光线,同时采用网状电极增加电极部位的取光效率(图6)。 图5 osram的gaalp系led改善组件结

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