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http://blog.alighting.cn/aidel2/archive/2011/7/21/230560.html2011/7/21 16:30:00
层，露出多量子阱N型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成N型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方形，N型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
6月11日，“2011湖南省节能宣传周活动暨中国（长沙）第三届节能科技产品交易博览会”在长沙红星国际会展中心盛大启动。我公司以“节能N次方，地球更健康”为主题的led照明产品展
http://blog.alighting.cn/ledled/archive/2011/7/20/230364.html2011/7/20 9:30:00
2 mbembe是直接以ga的分子束作为ga源，以Nh 3为N源，在衬底表面反应生成gaN。该方法可以在较低的温度下实现gaN的生长，有可能减少N的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反
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]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工作条件下也存在金
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求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
以调节流经led的电流。同任何感性负载一样，当开关断开时，我们需要为电流提供一条通路。这可以通过图2d中的续流二极管来实现，图中我们用N通道mosfet来代替开关，并且加上电阻器
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