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功率因子：电路中的功率与电流、电压均方根的乘积之比。* d- f" ?1 @* r4 N; i$ p对于正弦波来说，功率因子等于电压、电流位相差的余弦。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263204.html2012/1/29 23:39:35
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262807.html2012/1/29 0:46:19
0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262729.html2012/1/29 0:41:03
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262718.html2012/1/29 0:39:42
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led元件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通
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