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此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261555.html2012/1/8 21:49:48
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261544.html2012/1/8 21:49:07
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led元件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25
型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11
4------+vf N i总=单颗led的if值 2． 并联:这种电路需要电源能提供较高的电流. v总=单颗led的vf 值 i总=各led的if之和=if1+if2+if3+if
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261418.html2012/1/8 21:27:52
中N按（7-1）计算例：一个额定输出电流为dc 0.35a，额定功率为10w电源，驱动耗散功率为70mw，正向电流为0.02a的led，可怎样配置？依以上公式可以得出 并联支数
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261397.html2012/1/8 20:27:45
