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2010年中国半导体照明品牌路线发展研究报告

点的势能品牌模式;第八章品牌内生势能——内观品牌形象传播体系构建;第九章品牌成长势能——中观品牌六觉传播体系构建;第十章品牌外延势能——外观品牌公关传播体系构

  https://www.alighting.cn/resource/2011/2/12/112257_38.htm2011/2/12 11:22:57

刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯。本文研究了这种芯在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

si衬底gan基led理想因子的研究

首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

高压发光二极管(hv led)芯开发及产业化

通过对蓝宝石衬底外延生长、芯微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究,制备正装高压发光二极管(hv led) ,其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点

  https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37

青岛市成为“十城万盏”半导体照明应用工程试点示范城市

青岛市半导体照明产业独具特色,在产业上游的设备制造外延生长、紫外器件和大功率蓝光芯方面占有技术制高点。下一步青岛会借以试点城市为契机,抓紧于相关部门和制造商共同制定实施方案,重

  http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/6/22/222550.html2011/6/22 9:45:00

inn材料的电学特性

示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

借力世博 验证国内led照明产业发展

诉记者,led产业链较长,从上游的衬底材料、外延、芯到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,led照明灯是各学科交叉融合的产业。据介绍,相比于室内led照明灯具,室外le

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/31/249477.html2011/10/31 11:26:41

晶元光电公布季报,股价跌破净值、外资大买

led外延厂晶元光电公布季报,同样受累于转投资亏损,使得前三季的税后纯损858万元(新台币,下同),每股亏损0.01元,但由于晶电跌破净值,外资昨天大买3,227张,占昨天成交

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/31/295651.html2012/10/31 21:44:07

[原创]散热原理(一)

η*△t p: 散热与周围空气的热交换总量(w); h: 散热的总热传导率(w/cm2*℃),由辐射及对流两方面决定; a: 散热表面积(cm2); η: 散热效率,由散热

  http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133421.html2011/2/18 13:35:00

[原创]led散热(六)

差。   更形象一点,可以用图10来表示:   图10. 基于对流的散热量的计算   鳍的散热主要是靠对流和辐射,这其中对流是最重要的。这两部分都取决于鳍的总面积。面积越

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139190.html2011/3/7 16:17:00

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