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d。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白光）led并成
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
业目标是达到年产３００亿只的生产水平，实现超高亮度ａｉｇｓｌｎｐ的ｌｅｄ外延片和芯片的大批量生产，年产１０亿只以上红、橙、黄超高亮度ｌｅｄ管芯，突破ｇａｎ材料的关键技术，实现蓝、绿、
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
从led工作原理可知，外延片材料是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
t1272两个产品的额定工作温度范围是-40oc到+85oc，采用3x3-mm、14管脚的tdfn封装。aat1271和aat1272订货量为1000片时每片单价为1.49美
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00
塑边条、亚克力板或有机片做好的立体字上盖扣上并钉好，安装在所需场所。将变压器选择合适的电压接通电源。 这样，发光立体字或发光标识（logo）就制作完成。 采用压克力工艺成型立体发光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120538.html2010/12/13 23:00:00
随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（gan）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
体内容分别是：降低晶片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路 基板 的热阻抗、提高晶片的散热顺畅性。为了要降低热阻抗，许多国外led厂商将led晶片设在铜与陶瓷材料氧成的散热
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致led磊晶光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
