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导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势，尤其突出的新产品有：s-45ebmup GaN基led功率型蓝光芯片，光通量45lm, 广泛应用于40寸以上液晶背光及照明领
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/19/311270.html2013/3/19 16:13:18
平的新产品，全面应用于电视背光、照明、植物生长等领域，产品性能、技术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势，尤其突出的新产品有：s-45ebmup GaN基led功率
http://blog.alighting.cn/linxiucheng/archive/2013/2/21/309934.html2013/2/21 15:59:58
及有机el照明展”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的 使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
