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高亮度芯片面临的发展瓶颈

现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量,从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长,利用非极性技术,可最大限度地减少活性层的缺陷,使得led芯

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

三安林秀成申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势,尤其突出的新产品有:s-45ebmup GaN基led功率型蓝光芯片,光通量45lm, 广泛应用于40寸以上液晶背光及照明领

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/19/311270.html2013/3/19 16:13:18

2012年行业贡献主要介绍

平的新产品,全面应用于电视背光、照明、植物生长等领域,产品性能、技术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势,尤其突出的新产品有:s-45ebmup GaN基led功率

  http://blog.alighting.cn/linxiucheng/archive/2013/2/21/309934.html2013/2/21 15:59:58

盘点全球最新led照明技术创新

及有机el照明展”上,田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的 使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使

  http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47

led照明灯具可靠性分析

期寿命试验,目前的做法基本上形成如下共识:因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定,所以按美国assist联盟规定,需要电老化1000小时后,测得的光功率或光通量为初始值。之后

  http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51

2012全球led照明科技动态回顾

”上,田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30

2012全球led照明科技动态回顾

”上,田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30

led芯片的技术和应用设计知识(一)

硅(si)、碳化硅(sic)以外,氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片,还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片,技

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56

预计稀土三基色荧光粉会持续快速发展

我国稀土消费量及同比增速未来稀土消费三大增长点稀土未来消费的主要增长点主要是钕铁硼、镍氢动力电池和荧光稀土灯三个领域。(1)稀土荧光灯当今世界上流行使用的新型电光源大都与稀

  http://blog.alighting.cn/sunnysky/archive/2013/1/16/307852.html2013/1/16 10:24:57

硅谷狂人掀起照明革命

灯不同,led灯基本上就是能发光的半导体芯片。白炽灯通过灯丝发光,荧光灯通过汞蒸气传导电流来发光。led灯通过一片熔合了氮化镓(GaN)的基底材料,加上电压就会发光。led灯更节

  http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/1/11/307063.html2013/1/11 9:46:47

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