站内搜索
明:衬底温度对zno 薄膜的表面形貌、光学特性、结构特性都是重要的工艺参量,尤其在500 ℃时沉积的zno 薄膜致密均匀,并表现出较强的紫外发射
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
文章详细介绍了基于truec2技术非隔离buck拓扑、源极驱动mosfet,来实现极高精度led恒流控制。试验证明,全闭环truec2技术实时检测真实输出电流,免受输入电压、外部电
https://www.alighting.cn/2012/8/22 10:24:44
led背光照明仍是led增长的主要驱动力,2012年将是增长“峰年”。2012年led用于背光照明依旧是led产值的最大贡献应用领域,预计占led产值总比例将达到最大,约53.5
https://www.alighting.cn/resource/20120712/126522.htm2012/7/12 11:58:18
风光互补led路灯在道路照明的应用已是成熟的项目,但将风光绿能储能系统作为微型储能单元,建构成智能电网(smart grid)的配电电网,并结合通讯网路来达成智能型路灯控制系统,则
https://www.alighting.cn/resource/20120514/126563.htm2012/5/14 12:46:49
1驱动的变速器线(百通8281或等效)数据传输率高达622。控制输出上升和下降时间(400典型)减少transitioninduced抖动。输出电压摆幅可调800mvp-p1峰峰值使
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/5/132033_52.htm2012/4/5 13:20:33
采用高温固相法合成了适用于蓝光和近紫外光led芯片的钇铝石榴石黄色荧光粉和硅酸锶钡掺铕绿色荧光粉,通过x射线衍射(xrd)分析、扫描电镜(sem)观察、粒度分析仪测试和光谱仪检测等
https://www.alighting.cn/2012/3/6 17:52:02
为了使白光led光谱中红光成分增强,以更适应人眼视觉,通过对yag:ce荧光粉掺杂的改进,引入gd3+、pr3+使白光led光谱在610 nm处出现明显发射峰,并且荧光主峰发生红
https://www.alighting.cn/2011/12/5 13:47:40
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126857.htm2011/11/23 17:33:32
l测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00