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光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射to和lo峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
以wo3,moo3,eu2o3,li2co3,y2o3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光led用红色荧光粉lieu1-xyx(wo4)0.5(moo4)1.5(x
https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354ev与中性受主束缚激子相关的发射峰
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
配。在紫外激发下的发射峰由位于490nm(5d4-7f6)、545nm(5d4-7f5)、585nm(5d4-7f4)、622nm(5d4-7f3)的四组线状峰构成,对应tb3
https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
