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前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258521.html2011/12/19 10:58:03
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258510.html2011/12/19 10:57:08
国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258422.html2011/12/19 10:46:19
众所周知，led的优点之一是光电效率直接转换，与传统光源相比有很大的提升，但由于受到目前技术发展的限制，效率大概还是只有15-20%，这意味着多达80-85%的电能还是转换成了热量
http://blog.alighting.cn/228/archive/2011/12/15/257971.html2011/12/15 11:38:58
齐瀚光电(4997tw)宣布，新开发的N506产品将为照明业者提供更高的光电效能以及更便利的设计应用，其所提供的光通量相当于一颗60w的钨丝灯泡，但仅消耗6到8瓦的电力，可完全
https://www.alighting.cn/pingce/20111205/122611.htm2011/12/5 18:21:03
