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i, spaiN 合作者：marta porroy 项目总监及施工管理：lks, hoz foNtáN arquitectos 摄影：josé hevia 这
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246740.html2011/10/20 17:16:09
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246736.html2011/10/20 17:15:59
射模型拟合椭偏参数,计算了不同温度下制备的zNo薄膜在400~800Nm波长范围内的折射率(N)和消光系数(k),发现基片温度对薄膜光学特性有很大的影响。结合x射线衍射(xrd)的结
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
体探测、报警;气体二次配管;h2 和 N2 初级、终级纯化器等辅助设备的安装。并在 6 月份制造出第一台 movcd，并实现 movcd 部份国产
https://www.alighting.cn/news/20111020/114364.htm2011/10/20 9:38:38
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gaN作为N型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
们的国家申请专利，就申请应用方面的，或许有人认为很麻烦，很困难，其实个人认为也不是那么的复杂，很简单的，就是那么一弄吗（此处省略N字），就是那么一弄，简单。乔布斯不就是把现有的技术应
http://blog.alighting.cn/mqycc21/archive/2011/10/12/244222.html2011/10/12 21:52:27
良品的外延片就要开始做电极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
gaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
以提高N在zNo的固溶度。研究表明:N掺杂zNo体系,由于N-2p和zN-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-N
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率N2d51.5000,透光率大于90%(400 Nm~800 Nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
