站内搜索
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型gaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pN结。因此它具有一般p-N结的i-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125756.html2011/1/4 17:38:00
每1000流明光通时产生的光强。对于光强非对称分布的情况，可采用两个不同平面内的光强分布图来表示该灯具的光强分布情况。" u$ t5 i8 `! t& z- N其中，两平
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/6/19/221937.html2011/6/19 14:58:00
们应当认识到所有这些还不是目前的实际，还不能大面积推广。 ⅱled的发光原理 如所周知led就是发光二极管，是由某些种类半导体发光材料掺杂使之成为N型(负型或电子型)和p
http://blog.alighting.cn/1151/archive/2008/5/6/8853.html2008/5/6 16:21:00
极数？答：（1）根据《建筑物防雷设计规范》gb50057-94（2000年版）第6.4.5条中的图6.4.5-2之注：“当采用tN-c-s或tN-s系统时，在N与pe线连接处电涌保
http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127917.html2011/1/18 7:34:00
合物 ，主要是三芳胺衍生物。tpd：N，N′-双（3-甲基苯基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺Npd: N，N′-双（1-奈基）-N，N′-二苯基-1，1′
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
气之间的热阻了。一般厂家规格书中会给出rja，即结到环境之间的热阻。（rja=rjc+rca)。 同样以三级管2N5551为例，其最大使用功率1.5w是在其壳温25度时取得的。假
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
们需要为电流提供一条通路。这可以通过图2d中的续流二极管来实现，图中我们用N通道mosfet来代替开关，并且加上电阻器r用以测量流经led的电流。 当电流降至
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
层mgo和mg3 N2薄膜。mgo和mg3N2 薄膜非常致密，且导热性不好，因此在蒸发过程中，升温速率必须较慢，否则将导致mg带局部受热不均跳出蒸发舟。由图2看出，在mg原子的沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
:15000559958euchNer安士能单孔固定式开关egt1-5000euchNer 安士能 N1ar514euchNer 安士能 rgbf08d12-502euchNer 安士
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146039.html2011/4/1 13:30:00
