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容越大。如1N60的cgs为250pf左右，2N60的cgs为350pf左右，5N60的cgs为1200pf左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。b、剩下的就是频率和芯片驱
http://blog.alighting.cn/tinking/archive/2010/9/13/96605.html2010/9/13 16:33:00
d产生的热量究竟有多大？led在正向电压下，电子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服pN结的电场，由N区跃迁到p区，这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服pN结的电场，由N区跃迁到p区，这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
头引进灯具内，拧紧螺母以防电缆松脱；根据灯具接线座旁的字母“l”接火线,“N”接零线，地线符号接地线；再将前盖扣上。③ 用m5内六角扳手打开镇流器箱盖，取出电子镇流器板。将与灯具相
http://blog.alighting.cn/haiyangrongrong/archive/2011/5/17/179056.html2011/5/17 16:05:00
安特征，即正导游通、反向停止、击穿特征。当p型半导体和N型半导体分离时，因为接壤面处存在的载流子浓度差。于是电子和空穴都市从高浓度地区向低浓度地区分散。如许，p区一侧得到空穴剩下不
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/22/259887.html2011/12/22 10:24:11
量，在电场的驱动下，克服pN结的电场，由N区跃迁到p区，这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多余的能量以光子的形式放
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49
光二极管的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为p-N结。在某些半导体材料的pN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多
http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/19/319445.html2013/6/19 15:40:34
子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以led的抗震性能好。 led结构图如下图所示发光二极管的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之
http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/19/319450.html2013/6/19 15:59:19
蚀余量△hr(m)、转速N（转/miN），轴功率N和效率η。这类泵结构简单，重量较轻，可以输送温度不超过80℃的清水及物理及化学性质类似于水的液体。 2． 轴流泵轴流泵大多是单
http://blog.alighting.cn/yisouliu/archive/2010/4/8/39605.html2010/4/8 10:50:00
m，2600-2900kxr-c dw wc，wd，wf，wg m3：45、7-51、7lm，5000-7000kxr-c dw wc，wd，wf，wg N2：51、7-56、8l
http://blog.alighting.cn/andylau88645/archive/2009/8/13/10198.html2009/8/13 18:06:00
